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Precisión: ± 1° C
Disipación de potencia Pd: 55 W
y muchas mas
- Voltaje de alimentación: Seleccionar entre 110VCA o 220VCA
Para cualquier tipo de cautín de lápiz
IRF540N Transistor MOSFET 20cm Precisión: ± 1° CEl IRF540N es un Mosfet de potencia Hexfet de canal nico N de 100V en el encapsuladoTO 220AB. Este Mosfet tiene una resistencia extremadamente baja por rea de silicio, clasificacin dv dt dinmica, conmutacin rpida y resistente. Los Mosfet de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones. Polaridad: Canal N Intensidad drenador continua Id: 33 A Tensin denaje
